陶瓷3D打印碳化硅烧结技术分享之四：热等静压烧结SiC

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热等静压烧结是使材料(粉末、素坯或烧结体)在加热过程中经受各向均衡压力，以氩气或氮气等惰性气体作为传压介质，借助于高温高压的共同作用促进致密化的工艺。

HIP的工艺可分为两类：

(1)陶瓷粉料包封后直接 HIP 烧结，即包套HIP 工艺；

(2)由原料经成型(各种陶瓷成型工艺均可)，预烧结后达到一定的密度，材料无开口气孔状态，再经HIP高温高压后处理。

HIP烧结温度1900℃~2000℃，压力几百MPa。

HIP制品的密度可达99%，弯曲强度可达600MPa，

热等静压烧结技术可在较低的烧结温度下、较短的时间内制备出各向完全同性、微观结构均匀、晶粒较细且完全致密的材料；可制备出形状复杂的产品，特别是在制备纳米材料时对粉体的要求不高，甚至团聚严重的粉体也可用于纳米陶瓷的制备；能精确控制制品的最终尺寸、得到的制品只需要很少的精加工甚至无需加工就能使用。但HIP 烧结的突出缺点是封装困难，此外，设备的一次性投资和运转费用都较高。

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